Electrónica del Estado Sólido - EES

publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:24 por José Malaguera   [ actualizado el 4 jul. 2017 6:10 ]

Conceptos de la Mecánica Cuántica


El Átomo

Mecánica cuántica


PARCIAL 1

PARCIAL 1
  • Recomendaciones del Libro Texto:
  • Mecánica Cuántica, Cristalografía y Bandas de Energía
    • Lectura parte 1: capítulos 1 y 2
  • Dopado de semiconductores, Unión PN y Diodos.
    • Lectura parte 2: capítulos 3, 4, 5 y 6
  • Transistores BJT, JFET y MESFET.
    • Lectura parte 3: capítulos7 y 8
LECTURAS RECOMENDADAS:

  • Se puede usar los Temas del Parcial 1 impresos en el examen.
  • TEMA: EL CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET - 20PTS.
    •   Describir el contacto metal-semiconductor en ausencia de estados superficiales.
      •    Describir el contacto metal-semiconductor ante la presencia de estados superficiales.
      •    Describir y graficar los diagramas de bandas de energía del contacto metal-semiconductor con polarización.
      •    Analizar y describir físicamente el diagrama del efecto Schottky.
      •    Analizar el fenómeno físico de la carga imagen.
      •    Analizar  las características de la disminución de la barrera Schottky.
      •    Describir los procesos de transporte de corrientes a través de la barrera Schottky.
      •    Clasificar los diferentes tipos de FETs.
      •    Explicar el funcionamiento básico del JFET o MESFET.
      •    Explicar y graficar la curva característica del JFET o MESFET.
      •    Explicar y graficar el modelo del canal largo del JFET o MESFET.
      •    Graficar y explicar el JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
      •    Graficar y explicar las curvas características del JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
      •    Graficar y explicar el comportamiento de la velocidad de arrastre en función del campo eléctrico en diversos semiconductores.
      •    Graficar y explicar para el JFET o MESFET el modelo de 2 regiones.
      •    En el MESFET graficar y explicar con diferentes polarizaciones la respuesta del campo eléctrico y la curva característica corriente-tensión.
      •    Explicar y graficar para el MESFET comportamiento del campo eléctrico, velocidad de arrastre y concentraciones de electrones en un corte transversal del canal del MESFET.
      •    Graficar y explicar  la respuesta de la velocidad de arrastre y del campo eléctrico en un MESFET de compuerta corta.
      •    Graficar y explicar las curvas características corriente-tensión del MESFET para diversos semiconductores.
      •    Graficar y explicar el circuito equivalente del MESFET de pequeña señal.
      •    Graficar y explicar la frecuencia teórica de corte en función de la longitud de compuerta del MESFET.
      •    Graficar y explicar La potencia de salida del MESFET en función de la frecuencia.
      •    Graficar y explicar el circuito equivalente de ruido del MESFET.
  • OTROS TEMAS 80PTS.

PARCIAL 2

PARCIAL 2:
  • Se puede usar los Temas del Parcial 2 impresos en el examen.
  • TEMA: EL TRANSMISOR ÓPTICO.(20pts)
    •  Describir los conceptos básicos de Absorción y emisión en el modelo de bandas de energía.
    • •    Analizar las características físicas y los modelos matemáticos de la emisión espontánea y estimulada.
    • •    Analizar las características de funcionamiento de la unión PN en la emisión fotónica.
    • •    Analizar el incremento de eficiencia de la emisión fotónica con la heterounión doble.
    • •    Describir las características físicas de los semiconductores compuestos.
    • •     El Diodo LED
    • o    Explicar los modelos matemáticos de la eficiewncia del LED.
    • o    Graficar y explicar la respuesta de la potencia óptica respecto a la corriente.
    • o    Describir la característica de ruido espectral generado por el LED.
    • o    Describir la característica de ancho de banda del LED.
    • o    Graficar y explicar las características de funcionamiento del LED emisor superficial.
    • o    Graficar y explicar  las características de funcionamiento del LED emisor de borde.
    • •    El Láser semiconductor.
    • o    Explicar las características físicas de funcionamiento del Láser.
    • o    Analizar las características de salida del Láser.
    •     La ganancia óptica.
    •     Los valores de umbral de funcionamiento con emisión estimulada.
    •     La retroalimentación en el Láser.
    • o    Analizar el funcionamiento de diferentes Láser semiconductores.
    •     El Láser de Fabry-Perot.
    •     El Láser de área transversal ancha.
    •     El Láser de ganancia guiada.
    •     El Láser guiado por el índice de refracción.
    •     El Láser con Heteroestructura encubierta BH.
    • o    Describir la propagación de modos en un láser BH.
    • o    Describir el perfil de ganancia y pérdidas del láser.
    • o    Graficar y explicar el funcionamiento de los láseres DFB y DBR.
    • o    Graficar y explicar el funcionamiento de los láseres:
    •     De cavidad externa.
    •     De hendidura.
    •     DBR multisecciones.
    •     El láser emisor superficial VCSEL.
    • o    Graficar y explicar la familia de curvas característica Luz corriente.
  • OTROS TEMAS. (80pts)

Atomic Layer Deposition (ALD) Atomic Layer Etch (ALE)

La Producción de Obleas de Silicio.



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