Electrónica del Estado Sólido - EES

publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:24 por José Malaguera   [ actualizado el 7 jul. 2018 4:47 ]

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Conceptos de la Mecánica Cuántica


El Átomo

Mecánica cuántica


PARCIAL 1

PARCIAL 1
  • Recomendaciones del Libro Texto:
  • Mecánica Cuántica, Cristalografía y Bandas de Energía
    • Lectura parte 1: capítulos 1 y 2
  • Dopado de semiconductores, Unión PN y Diodos.
    • Lectura parte 2: capítulos 3, 4, 5 y 6
  • Transistores BJT, JFET y MESFET.
    • Lectura parte 3: capítulos7 y 8
LECTURAS RECOMENDADAS:

  • Se puede usar los Temas del Parcial 1 impresos en el examen.
  • TEMA OBLIGATORIO: EL CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET - 20PTS.
    •   Describir el contacto metal-semiconductor en ausencia de estados superficiales.
      •    Describir el contacto metal-semiconductor ante la presencia de estados superficiales.
      •    Describir y graficar los diagramas de bandas de energía del contacto metal-semiconductor con polarización.
      •    Analizar y describir físicamente el diagrama del efecto Schottky.
      •    Analizar el fenómeno físico de la carga imagen.
      •    Analizar  las características de la disminución de la barrera Schottky.
      •    Describir los procesos de transporte de corrientes a través de la barrera Schottky.
      •    Clasificar los diferentes tipos de FETs.
      •    Explicar el funcionamiento básico del JFET o MESFET.
      •    Explicar y graficar la curva característica del JFET o MESFET.
      •    Explicar y graficar el modelo del canal largo del JFET o MESFET.
      •    Graficar y explicar el JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
      •    Graficar y explicar las curvas características del JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
      •    Graficar y explicar el comportamiento de la velocidad de arrastre en función del campo eléctrico en diversos semiconductores.
      •    Graficar y explicar para el JFET o MESFET el modelo de 2 regiones.
      •    En el MESFET graficar y explicar con diferentes polarizaciones la respuesta del campo eléctrico y la curva característica corriente-tensión.
      •    Explicar y graficar para el MESFET comportamiento del campo eléctrico, velocidad de arrastre y concentraciones de electrones en un corte transversal del canal del MESFET.
      •    Graficar y explicar  la respuesta de la velocidad de arrastre y del campo eléctrico en un MESFET de compuerta corta.
      •    Graficar y explicar las curvas características corriente-tensión del MESFET para diversos semiconductores.
      •    Graficar y explicar el circuito equivalente del MESFET de pequeña señal.
      •    Graficar y explicar la frecuencia teórica de corte en función de la longitud de compuerta del MESFET.
      •    Graficar y explicar La potencia de salida del MESFET en función de la frecuencia.
      •    Graficar y explicar el circuito equivalente de ruido del MESFET.
  • OTROS TEMAS 80PTS.

PARCIAL 2

PARCIAL 2:
  • Se puede usar los Temas del Parcial 2 impresos en el examen.
    • Está permitido algunas observaciones de ecuaciones y gráficas. Sin especificaciones detalladas.
  • TEMA OBLIGATORIO: FIBRA ÓPTICA. (40pts)
    •    Comparar los sistemas de RF y Microondas con los sistemas ópticos.
    •    Describir una reseña histórica de los sistemas de comunicaciones.
    •    Describir las características tecnológicas de las cinco primeras generaciones de los sistemas de comunicaciones ópticos.
    •    Analizar el funcionamiento de los sistemas de comunicaciones ópticos.
    •    Describir las características físicas del núcleo y del revestimiento de la Fibra Óptica.
    •    Analizar las características físicas de la fibra óptica escalonada y gradual.
    •    Describir los modelos matemáticos de la óptica geométrica que caracterizan la propagación en la fibra óptica:
    o    Reflexión total.
    o    Ángulo crítico.
    o    Apertura numérica.
    •    Describir la dispersión multi-trayectoria y el modelo matemático del tiempo de retraso.
    •    Describir el modelo matemático del índice de refracción en el núcleo y en el revestimiento.
    •    Describir la respuesta de la dispersión respecto al perfil α de la fibra óptica gradual.
    •    Describir las características físicas de funcionamiento de la fibra óptica gradual de plástico.
    •    Describir las ecuaciones de Maxwell.
    •    Describir el modelo matemático de propagación de onda en la Fibra óptica.
    •    Describir la propagación de modos de onda en la fibra óptica.
    •    Describir los modelos de frecuencia normada V y de constante de propagación normada b.
    •    Interpretar las curvas de modos de propagación b en función de V.
    •    Describir las condiciones de propagación de los modos en la fibra óptica.
    •    Describir la condición de corte de los modos transversales  para la propagación del modo fundamental.
    •    Describir el fenómeno de doble refracción.
    •    Describir el origen de las fuentes que generan la dispersión en la fibra óptica.
    •    Describir el origen de la longitud de onda de dispersión cero en las ventanas de 1.33µm y 1.55 µm.
    •    Analizar el fenómeno de dispersión de órdenes superiores y la pendiente de dispersión S.
    •    Analizar la dispersión debido al modo de polarización.
    •    Analizar los mecanismos de pérdidas en la Fibra Óptica.
    •    Analizar los efectos No Lineales.
    o    Dispersión de Raman SRS y Brillouin SBS.
    o    La automodulación de fase: SPM.
    o    La modulación cruzada de fase: XPM.
    o    La mezcla de cuatro ondas: FWM.
  • OTROS TEMAS. (60pts)

Fabricacion Fibra Optica

CABLES DE FIBRA ÓPTICA

PARCIAL 3

Materiales pdfs de clase:
PARCIAL 3
  • Se pueden usar los Temas del Parcial 3 impresos.
    • Está permitido algunas observaciones de ecuaciones y gráficas. Sin especificaciones detalladas.
  • TEMA OBLIGATORIO 1: FUNDAMENTOS DE LOS SISTEMAS QUE CONFORMAN LOS REACTORES MOVPE. (30pts)
  • TEMA OBLIGATORIO 2: ELECTRÓNICA ORGÁNICA (30pts)
    • INTRODUCCIÓN DE LA QUÍMICA ORGÁNICA. (30pts)
    • EL OLED
    • EL OFET
    • EL GRAFENO
  • OTROS TEMAS (40PTS)
Recomendaciones de Lecturas:

MOCVD LabSem

MBE Deposition Options

Atomic Layer Deposition (ALD) Atomic Layer Etch (ALE)

La Producción de Obleas de Silicio.



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