Información actualizadas de las Asignaturas.

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Lineas de Transmisión - LDT

publicado a la‎(s)‎ 12 nov. 2013 7:52 por José Malaguera   [ actualizado el 20 abr. 2017 13:18 ]


Apoyo e Información.


Ejercicio:

Temas de recuperación de las caminatas:

Fechas de las caminatas recuperativas:


PARCIAL 1

PARCIAL 1
  • Resolver un problema con 2 Stubs.
    • Traer 10 Cartas de Smith impresas.
    • Compás, regla, calculadora sencilla, marcadores de colores y lápiz.

Quices:
  • Quiz 1: Desarrollo del Marco teórico de las deducciones.


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Proyectos de Radiofrecuencias - PRF

publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:30 por José Malaguera   [ actualizado el 28 mar. 2017 12:56 ]

Ejemplos de Soluciones de Integrales M, S y de Regiones tipo.

PARCIAL 2

PARCIAL 2:
  • Programar y entregar en Pseudo-código un Problema de 3 regiones.
  • No se puede usar ayuda de materiales de apoyo.

PARCIAL 3


  • CONTENIDOS DEL PROYECTO: 
    • Entregar un CD con:
      • El Informe en Word y pdf.
      • El Manual de Usuario en Word y pdf.
      • Una carpeta con todos los archivos de MATLAB.
      • Una carpeta con todos los archivos de figuras de MATLAB .fig
      • Traer impreso el Imagen del Proyecto asignado
 
  • INFORMACIÓN SOBRE LA EVALUACIÓN DEL INFORME
    • Entregar un CD roturado con sus datos que contenga El Informe del Proyecto con los archivos de MATLAB.
      • Apellidos y Nombres
      • Debe indicarse: PROYECTO DE PRF.
      • Semestre actual.
  • CONTENIDOS DEL INFORME DEL PROYECTO
    • Planteamiento del Problema.
    • Gráfica bidimensional.
    • Gráfica tridimensional.
    • Solución de todos los artificios de potencial y normalizaciones. 
    • Determinación de la Matriz de Gauss.
    • Cálculo de las Integrales de las matrices.

    • Código y algoritmo para la determinación de las constantes. 
    • Código y algoritmo de integrales calculadas.
    • Código y algoritmo de Control de Constantes.
    • Código y algoritmos de los artificios de potenciales.
    • Código y algoritmo de la gráfica tridimensional del Problema asignado.

    • Gráficas y códigos con funciones de Matlab.
    • Control de Gráficas y códigos con funciones de Matlab.
    • Manual de Usuario.
    • Fecha de entrega.
    • Presentación. 
      • Portada.
      • Índice.
      • Resumen.
      • Introducción.
      • Resultados con gráficas.
      • Conclusiones.

Planificación de la Evaluación de Régimen Especial.

  • Parcial 1: 17-03-2017. 7am
    • Examen de los cálculos.
  • Parcial 2: 31-03-2017. 7am
    • Examen de Programación.
  • Parcial 3: 21-04-2017. 7am
    • Entrega y defensa del Proyecto.

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Circuitos de Altas Frecuencias - CAF

publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:27 por José Malaguera   [ actualizado el 5 abr. 2017 5:12 ]

PARCIAL 1

CONTENIDOS DEL QUIZ DEL PARCIAL 1:
  • Quiz 1: Atenuación en la línea Microstrip. Láminas 31 a 46.
ACTIVIDADES DE PROGRAMACIÓN:

PARCIAL 3

PARCIAL 3
  • Revisa la fecha del Parcial 3
  • Programar con APLAC las prácticas 1 a la 5.
  • Entrega de los Informes y los códigos de las 5 Prácticas digitales.. (30pts)
  • En el parcial se debe explicar la programación y los resultados. (70pts)


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Electrónica del Estado Sólido - EES

publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:24 por José Malaguera   [ actualizado el 4 jul. 2017 6:10 ]


Conceptos de la Mecánica Cuántica


El Átomo

Mecánica cuántica


PARCIAL 1

PARCIAL 1
  • Recomendaciones del Libro Texto:
  • Mecánica Cuántica, Cristalografía y Bandas de Energía
    • Lectura parte 1: capítulos 1 y 2
  • Dopado de semiconductores, Unión PN y Diodos.
    • Lectura parte 2: capítulos 3, 4, 5 y 6
  • Transistores BJT, JFET y MESFET.
    • Lectura parte 3: capítulos7 y 8
LECTURAS RECOMENDADAS:

  • Se puede usar los Temas del Parcial 1 impresos en el examen.
  • TEMA: EL CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET - 20PTS.
    •   Describir el contacto metal-semiconductor en ausencia de estados superficiales.
      •    Describir el contacto metal-semiconductor ante la presencia de estados superficiales.
      •    Describir y graficar los diagramas de bandas de energía del contacto metal-semiconductor con polarización.
      •    Analizar y describir físicamente el diagrama del efecto Schottky.
      •    Analizar el fenómeno físico de la carga imagen.
      •    Analizar  las características de la disminución de la barrera Schottky.
      •    Describir los procesos de transporte de corrientes a través de la barrera Schottky.
      •    Clasificar los diferentes tipos de FETs.
      •    Explicar el funcionamiento básico del JFET o MESFET.
      •    Explicar y graficar la curva característica del JFET o MESFET.
      •    Explicar y graficar el modelo del canal largo del JFET o MESFET.
      •    Graficar y explicar el JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
      •    Graficar y explicar las curvas características del JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
      •    Graficar y explicar el comportamiento de la velocidad de arrastre en función del campo eléctrico en diversos semiconductores.
      •    Graficar y explicar para el JFET o MESFET el modelo de 2 regiones.
      •    En el MESFET graficar y explicar con diferentes polarizaciones la respuesta del campo eléctrico y la curva característica corriente-tensión.
      •    Explicar y graficar para el MESFET comportamiento del campo eléctrico, velocidad de arrastre y concentraciones de electrones en un corte transversal del canal del MESFET.
      •    Graficar y explicar  la respuesta de la velocidad de arrastre y del campo eléctrico en un MESFET de compuerta corta.
      •    Graficar y explicar las curvas características corriente-tensión del MESFET para diversos semiconductores.
      •    Graficar y explicar el circuito equivalente del MESFET de pequeña señal.
      •    Graficar y explicar la frecuencia teórica de corte en función de la longitud de compuerta del MESFET.
      •    Graficar y explicar La potencia de salida del MESFET en función de la frecuencia.
      •    Graficar y explicar el circuito equivalente de ruido del MESFET.
  • OTROS TEMAS 80PTS.

PARCIAL 2

PARCIAL 2:
  • Se puede usar los Temas del Parcial 2 impresos en el examen.
  • TEMA: EL TRANSMISOR ÓPTICO.(20pts)
    •  Describir los conceptos básicos de Absorción y emisión en el modelo de bandas de energía.
    • •    Analizar las características físicas y los modelos matemáticos de la emisión espontánea y estimulada.
    • •    Analizar las características de funcionamiento de la unión PN en la emisión fotónica.
    • •    Analizar el incremento de eficiencia de la emisión fotónica con la heterounión doble.
    • •    Describir las características físicas de los semiconductores compuestos.
    • •     El Diodo LED
    • o    Explicar los modelos matemáticos de la eficiewncia del LED.
    • o    Graficar y explicar la respuesta de la potencia óptica respecto a la corriente.
    • o    Describir la característica de ruido espectral generado por el LED.
    • o    Describir la característica de ancho de banda del LED.
    • o    Graficar y explicar las características de funcionamiento del LED emisor superficial.
    • o    Graficar y explicar  las características de funcionamiento del LED emisor de borde.
    • •    El Láser semiconductor.
    • o    Explicar las características físicas de funcionamiento del Láser.
    • o    Analizar las características de salida del Láser.
    •     La ganancia óptica.
    •     Los valores de umbral de funcionamiento con emisión estimulada.
    •     La retroalimentación en el Láser.
    • o    Analizar el funcionamiento de diferentes Láser semiconductores.
    •     El Láser de Fabry-Perot.
    •     El Láser de área transversal ancha.
    •     El Láser de ganancia guiada.
    •     El Láser guiado por el índice de refracción.
    •     El Láser con Heteroestructura encubierta BH.
    • o    Describir la propagación de modos en un láser BH.
    • o    Describir el perfil de ganancia y pérdidas del láser.
    • o    Graficar y explicar el funcionamiento de los láseres DFB y DBR.
    • o    Graficar y explicar el funcionamiento de los láseres:
    •     De cavidad externa.
    •     De hendidura.
    •     DBR multisecciones.
    •     El láser emisor superficial VCSEL.
    • o    Graficar y explicar la familia de curvas característica Luz corriente.
  • OTROS TEMAS. (80pts)

Atomic Layer Deposition (ALD) Atomic Layer Etch (ALE)

La Producción de Obleas de Silicio.



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