Información actualizadas de las Asignaturas.

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Lineas de Transmisión - LDT

publicado a la‎(s)‎ 12 nov. 2013 7:52 por José Malaguera   [ actualizado el 6 nov. 2017 3:38 ]


Apoyo e Información.


Ejercicio:

Temas de recuperación de las caminatas:

Fechas de las caminatas recuperativas:


PARCIAL 1

PARCIAL 1
  • Resolver un problema con 2 Stubs.
    • Traer 10 Cartas de Smith impresas.
    • Compás, regla, calculadora sencilla, marcadores de colores y lápiz.

Quices:
  • Quiz 1: Desarrollo del Marco teórico de las deducciones.

PARCIAL 2

PARCIAL 2:
  • Defender las actividades de Matlab.
    • Entregar Pseudocódigos de las actividades. Se deben traer preparadas(40pts)
  • Resolver un Problema da Carta de Smith de 3 Stubs. (60pts)
    • Está permitido usar material de apoyo con observaciones .Sin especificaciones detallada

PARCIAL 3

PARCIAL 3
  • 30 pts. Entregar un Informe del Proyecto.
  • 40pts.  Entrega del Proyecto. Archivos de MATLAB
  • 30 pts. Desarrollar un resumen del proyecto. Traer Compás, regla, Cartas de Smith.

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    Proyectos de Radiofrecuencias - PRF

    publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:30 por José Malaguera   [ actualizado el 24 oct. 2017 5:01 ]

    Ejemplos de Soluciones de Integrales M, S y de Regiones tipo.

    PARCIAL 2

    PARCIAL 2:
    • Programar y entregar en Pseudo-código un Problema de 3 regiones.
    • No se puede usar ayuda de materiales de apoyo.

    PARCIAL 3


    • CONTENIDOS DEL PROYECTO: 
      • Entregar un CD con:
        • El Informe en Word y pdf.
        • El Manual de Usuario en Word y pdf.
        • Una carpeta con todos los archivos de MATLAB.
        • Una carpeta con todos los archivos de figuras de MATLAB .fig
        • Traer impreso el Imagen del Proyecto asignado
     
    • INFORMACIÓN SOBRE LA EVALUACIÓN DEL INFORME
      • Entregar un CD roturado con sus datos que contenga El Informe del Proyecto con los archivos de MATLAB.
        • Apellidos y Nombres
        • Debe indicarse: PROYECTO DE PRF.
        • Semestre actual.
    • CONTENIDOS DEL INFORME DEL PROYECTO
      • Planteamiento del Problema.
      • Gráfica bidimensional.
      • Gráfica tridimensional.
      • Solución de todos los artificios de potencial y normalizaciones. 
      • Determinación de la Matriz de Gauss.
      • Cálculo de las Integrales de las matrices.

      • Código y algoritmo para la determinación de las constantes. 
      • Código y algoritmo de integrales calculadas.
      • Código y algoritmo de Control de Constantes.
      • Código y algoritmos de los artificios de potenciales.
      • Código y algoritmo de la gráfica tridimensional del Problema asignado.

      • Gráficas y códigos con funciones de Matlab.
      • Control de Gráficas y códigos con funciones de Matlab.
      • Manual de Usuario.
      • Fecha de entrega.
      • Presentación. 
        • Portada.
        • Índice.
        • Resumen.
        • Introducción.
        • Resultados con gráficas.
        • Conclusiones.

    Planificación de la Evaluación de Régimen Especial.

    • Parcial 1: 17-03-2017. 7am
      • Examen de los cálculos.
    • Parcial 2: 31-03-2017. 7am
      • Examen de Programación.
    • Parcial 3: 21-04-2017. 7am
      • Entrega y defensa del Proyecto.

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    Circuitos de Altas Frecuencias - CAF

    publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:27 por José Malaguera   [ actualizado el 5 abr. 2017 5:12 ]

    PARCIAL 1

    CONTENIDOS DEL QUIZ DEL PARCIAL 1:
    • Quiz 1: Atenuación en la línea Microstrip. Láminas 31 a 46.
    ACTIVIDADES DE PROGRAMACIÓN:

    PARCIAL 3

    PARCIAL 3
    • Revisa la fecha del Parcial 3
    • Programar con APLAC las prácticas 1 a la 5.
    • Entrega de los Informes y los códigos de las 5 Prácticas digitales.. (30pts)
    • En el parcial se debe explicar la programación y los resultados. (70pts)


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    Electrónica del Estado Sólido - EES

    publicado a la‎(s)‎ 15 jun. 2013 14:24 por José Malaguera   [ actualizado el 1 nov. 2017 4:09 ]


    Conceptos de la Mecánica Cuántica


    El Átomo

    Mecánica cuántica


    PARCIAL 1

    PARCIAL 1
    • Recomendaciones del Libro Texto:
    • Mecánica Cuántica, Cristalografía y Bandas de Energía
      • Lectura parte 1: capítulos 1 y 2
    • Dopado de semiconductores, Unión PN y Diodos.
      • Lectura parte 2: capítulos 3, 4, 5 y 6
    • Transistores BJT, JFET y MESFET.
      • Lectura parte 3: capítulos7 y 8
    LECTURAS RECOMENDADAS:

    • Se puede usar los Temas del Parcial 1 impresos en el examen.
    • TEMA: EL CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET - 20PTS.
      •   Describir el contacto metal-semiconductor en ausencia de estados superficiales.
        •    Describir el contacto metal-semiconductor ante la presencia de estados superficiales.
        •    Describir y graficar los diagramas de bandas de energía del contacto metal-semiconductor con polarización.
        •    Analizar y describir físicamente el diagrama del efecto Schottky.
        •    Analizar el fenómeno físico de la carga imagen.
        •    Analizar  las características de la disminución de la barrera Schottky.
        •    Describir los procesos de transporte de corrientes a través de la barrera Schottky.
        •    Clasificar los diferentes tipos de FETs.
        •    Explicar el funcionamiento básico del JFET o MESFET.
        •    Explicar y graficar la curva característica del JFET o MESFET.
        •    Explicar y graficar el modelo del canal largo del JFET o MESFET.
        •    Graficar y explicar el JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
        •    Graficar y explicar las curvas características del JFET o MESFET normalmente ON y OFF.
        •    Graficar y explicar el comportamiento de la velocidad de arrastre en función del campo eléctrico en diversos semiconductores.
        •    Graficar y explicar para el JFET o MESFET el modelo de 2 regiones.
        •    En el MESFET graficar y explicar con diferentes polarizaciones la respuesta del campo eléctrico y la curva característica corriente-tensión.
        •    Explicar y graficar para el MESFET comportamiento del campo eléctrico, velocidad de arrastre y concentraciones de electrones en un corte transversal del canal del MESFET.
        •    Graficar y explicar  la respuesta de la velocidad de arrastre y del campo eléctrico en un MESFET de compuerta corta.
        •    Graficar y explicar las curvas características corriente-tensión del MESFET para diversos semiconductores.
        •    Graficar y explicar el circuito equivalente del MESFET de pequeña señal.
        •    Graficar y explicar la frecuencia teórica de corte en función de la longitud de compuerta del MESFET.
        •    Graficar y explicar La potencia de salida del MESFET en función de la frecuencia.
        •    Graficar y explicar el circuito equivalente de ruido del MESFET.
    • OTROS TEMAS 80PTS.

    PARCIAL 2

    PARCIAL 2:
    • Se puede usar los Temas del Parcial 2 impresos en el examen.
      • Está permitido algunas observaciones de ecuaciones y gráficas. Sin especificaciones detalladas.
    • TEMA: EL TRANSMISOR ÓPTICO.(20pts)
      •  Describir los conceptos básicos de Absorción y emisión en el modelo de bandas de energía.
      • •    Analizar las características físicas y los modelos matemáticos de la emisión espontánea y estimulada.
      • •    Analizar las características de funcionamiento de la unión PN en la emisión fotónica.
      • •    Analizar el incremento de eficiencia de la emisión fotónica con la heterounión doble.
      • •    Describir las características físicas de los semiconductores compuestos.
      • •     El Diodo LED
      • o    Explicar los modelos matemáticos de la eficiewncia del LED.
      • o    Graficar y explicar la respuesta de la potencia óptica respecto a la corriente.
      • o    Describir la característica de ruido espectral generado por el LED.
      • o    Describir la característica de ancho de banda del LED.
      • o    Graficar y explicar las características de funcionamiento del LED emisor superficial.
      • o    Graficar y explicar  las características de funcionamiento del LED emisor de borde.
      • •    El Láser semiconductor.
      • o    Explicar las características físicas de funcionamiento del Láser.
      • o    Analizar las características de salida del Láser.
      •     La ganancia óptica.
      •     Los valores de umbral de funcionamiento con emisión estimulada.
      •     La retroalimentación en el Láser.
      • o    Analizar el funcionamiento de diferentes Láser semiconductores.
      •     El Láser de Fabry-Perot.
      •     El Láser de área transversal ancha.
      •     El Láser de ganancia guiada.
      •     El Láser guiado por el índice de refracción.
      •     El Láser con Heteroestructura encubierta BH.
      • o    Describir la propagación de modos en un láser BH.
      • o    Describir el perfil de ganancia y pérdidas del láser.
      • o    Graficar y explicar el funcionamiento de los láseres DFB y DBR.
      • o    Graficar y explicar el funcionamiento de los láseres:
      •     De cavidad externa.
      •     De hendidura.
      •     DBR multisecciones.
      •     El láser emisor superficial VCSEL.
      • o    Graficar y explicar la familia de curvas característica Luz corriente.
    • OTROS TEMAS. (80pts)

    Fabricacion Fibra Optica

    CABLES DE FIBRA ÓPTICA

    MOCVD LabSem

    MBE Deposition Options

    Atomic Layer Deposition (ALD) Atomic Layer Etch (ALE)

    La Producción de Obleas de Silicio.



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